首页> 外文OA文献 >Nanocolumnar preferentially oriented PSZT thin films deposited on thermally grown silicon dioxide.
【2h】

Nanocolumnar preferentially oriented PSZT thin films deposited on thermally grown silicon dioxide.

机译:纳米柱优先取向的PSZT薄膜沉积在热生长的二氧化硅上。

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

We report the first instance of deposition of preferentially oriented, nanocrystalline, and nanocolumnar strontium-doped lead zirconate titanate (PSZT) ferroelectric thin films directly on thermal silicon dioxide. No intermediate seed or activation layers were used between PSZT and silicon dioxide. The deposited thin films have been characterised using a combination of diffraction and microscopy techniques. © 2009, Springer. The original publication is available at www.springerlink.com
机译:我们报告了直接在热二氧化硅上沉积优先取向的,纳米晶的和纳米柱掺杂的锶锆钛酸铅(PSZT)铁电薄膜的首次实例。 PSZT和二氧化硅之间未使用中间晶种或活化层。已经使用衍射和显微镜技术的组合来表征沉积的薄膜。 ©2009,Springer。原始出版物可在www.springerlink.com上找到。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号